История кафедры физики твердого тела – кафедры физики низкоразмерных структур

Кафедра физики твердого тела была создана в Дальневосточном государственном университете 5 апреля 1972 г. приказом Министра высшего и среднего специального образования РСФСР № 67 от 22 февраля 1972 г.

Инициатором и вдохновителем создания кафедры физики твердого тела (впоследствии кафедры физики низкоразмерных структур) стала Валентина Владиславовна Ветер.

Ветер В. В. c 1956 г. работала в Дальневосточном государственном университете, в 1959 г. защитила кандидатскую диссертацию по физике магнитных явлений в Институте физики СО РАН под руководством Л. В. Киренского. Валентина Владиславовна подготовила 8 кандидатов наук по физике магнитных явлений, является основателем школы магнитологов-тонкопленочников ДВГУ. Многое в физике тонких пленок было сделано впервые: использование спектрального анализа случайных процессов в физике магнитных явлений, структуре тонких пленок и обработке электронно-микроскопических изображений; впервые совместно с коллективом ученых государственного оптического института им. С. И. Вавилова (Санкт-Петербург) для исследование доменных структур был применен метод малоуглового рассеяния электронов, использована растровая электронная микроскопия. Такое плодотворное сотрудничество стало возможным в результате формирования группы единомышленников, привлечения специалистов с других кафедр: общей физики – Юдина Л. А., Полищук В. Е.; автоматизации научных исследований – Юдина В. В., Козодоя Г. В., Грудина Б. Н.. Матохина А. В.

 
Юдина Л. А.

 
Слева направо: Осуховский В. Э., Чеботкевич Л. А., Юдина Л. А., Юдин В. В.

С годами кафедра физики твердого тела расширила спектр проводимых исследований. Стали применяться рентгеноструктурные методы исследования тонкопленочного состояния вещества, под руководством Л. Г. Елисеенко; изучением структуры диэлектриков и разработкой микроэлектронных структур занималась группа под руководством Игнатюка В. А. И тот, и другой в разное время руководили кафедрой физики твердого тела.

Юдин В. В.

С 1991 г. заведующим кафедрой, которая была преобразована в кафедру Физических основ технологий информационных сред (ФОТИС), стал д.ф.-м.н., профессор Юдин В. В.

Создание в 1997 г. Института физики и информационных технологий ДВГУ сопровождалось образованием физико-технического факультета в составе двух кафедр – ФОТИС и Физики и технологии материалов для полупроводниковой электроники, руководил которой д.ф.-м.н. профессор В. Г. Лифшиц, декан нового факультета.

Это направление подготовки студентов и научных исследований также имеет свою историю. С 1974 г. на кафедре «Микроэлектроника» ДВГУ под руководством прибывшего во Владивосток известного во всем мире ученого Ф. Г. Староса начали проводиться работы по управляемому росту микроструктур, созданию искусственного интеллекта, исследованию формирования и свойств низкоразмерных структур нанометровых размеров на поверхности полупроводниковых кристаллов, и созданию на их основе нового поколения полупроводниковых электронных, спинтронных и оптоэлектронных устройств.

Старос Ф. Г.	Лифшиц В. Г.

В Дальневосточном федеральном университете эти исследования продолжились на кафедре физики низкоразмерных структур. Создана сетевая образовательная программа «Электроника и наноэлектроника», которая реализуется ДВФУ совместно с Институтом автоматики и процессов управления (ИАПУ) ДВО РАН, что позволяет иметь две основных траектории развития научной мысли и учебного процесса - это полупроводниковая электроника и магнитная электроника. Заведующим кафедрой физики низкоразмерных структур Школы естественных наук стал Саранин А. А., д.ф.- м.н., член-корреспондент РАН.

Студенты, которые выбирают первую траекторию, занимаются исследованиями процессов на поверхности твердого тела, механизмов роста и синтезом различных гетероструктур, что, в конечном счете, направлено на создание на их основе полупроводниковых и оптоэлектронных устройств. 

Саранин А. А.

Второе актуальное направление развития нанотехнологий в электронике – это изучение свойств и конструирование магнитной памяти для электроники нового поколения, разработка новых аморфных и нанокристаллических сплавов и исследование их магнитных свойств.

Студенты, обучающиеся на направлении подготовки «Электроника и наноэлектроника» самостоятельно получают твердотельные структуры с полупроводниковыми и магнитными элементами памяти, изучают структуру этих материалов с точки зрения атомного упорядочения, исследуют полезные свойства этих материалов – электрические, магнитные.

Лаборатории ДВФУ и ИАПУ ДВО РАН имеют современную исследовательскую инфраструктуру и оснащены на уровне лучших мировых лабораторий. Основные аналитические методы, с помощью которых проводятся исследования, включают электронную микроскопию, сканирующую туннельную и атомно-силовую микроскопию, фотоэлектронную спектроскопию. Имеется целый ряд сверхвысоковакуумных комплексов для синтеза новых материалов, в том числе методами быстрой закалки из жидкого состояния. Поэтому наши студенты имеют возможность научиться работать на новейшем прецизионном оборудовании. Кроме того, выпускники бакалавриата «Электроника и наноэлектроника» не просто умеют работать с этим оборудованием – они получают важнейшие профессиональные навыки и компетенции по обслуживанию приборов, понимают и описывают полученные результаты. Простых приборов и установок сейчас нет ни в науке, ни на высокотехнологичном производстве. Стать оператором современного оборудования и понимать, как работает прибор, как его можно настроить, чтобы получить на этом приборе лучшие результаты, максимально его использовать – это очень хорошие профессиональные перспективы.

Подготовила Г. С. Крайнова, к.ф.-м.н, профессор, профессор Департамента общей и экспериментальной физики ИНТиПМ ДВФУ