Виктор Григорьевич Лифшиц

Виктор Григорьевич Лифшиц – лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и техники - «Электронные и атомные процессы на поверхности твердых тел»- 2002 г., заслуженный деятель науки Российской федерации, Соросовский профессор, член редколлегии журналов:

•  “Physics of Low-Dimensional Structures”,

•  «Микросхемотехника»,

•  “e-Journal of Surface Science and Nanotechnology”;

сопредседатель Российско-Японского семинара по физике поверхности полупроводников,

представитель от России в наблюдательном комитете Международной конференции “7th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures” (Япония, 2003 г.,

член Научного совета РАН по физике полупроводников.

В 2003 году признан лучшим деканом Дальневосточного государственного университета.

Библиографическая справка

  Задача, которую ставил в 1974 г. Ф.Г. Старос, формулировалась так - разработать физико-технические основы создания различных многослойных микроэлектронных структур (в том числе и интегральных схем) на основе кремниевой матрицы. Это была достаточно смелая по тем временам (да и сейчас остающаяся актуальной) задача, учитывая то обстоятельство, что тогда сверхвысоковакуумная техника в СССР лишь недавно начала развиваться. Старос Ф.Г. назначил Лифшица В.Г. своим заместителем, а потом фактически сделал его своим преемником. С начала обустройства лаборатории, подбора и обучения кадров, разработки и изготовления аппаратуры, комплектации и приобретения оборудования до первой серьезной публикации в журнале Solid State Communications прошло более трех лет - сказалось то, что Владивосток расположен на краю страны и поиск почти любой детали для эксперимента становился проблемой. Но уже с конца 70-х – начала 80-х годов в лаборатории начались исследования процессов на поверхности кремния, соответствующие мировому уровню. Так, впервые были корректно определены константы поверхностной самодиффузии кремния, которые впоследствии, спустя 5 и 10 лет, подтвердились другими методами в различных лабораториях мира; была установлена роль формирования поверхностных фаз в процессах поверхностной гетеродиффузии золота; приступили к исследованию процессов твердофазной эпитаксии, начали исследования формирования межфазовых границ кремний-оксид, кремний-нитрид, кремний-хром и др. К теоретическим успехам этого времени (в направлении создания новых методик) можно отнести работы по использованию спектроскопии характеристических потерь энергии электронами для анализа свойств сверхтонких пленок, оже-спектроскопии для исследования электронной структуры поверхностных фаз на кремнии.

  Постепенно лаборатория расширялась. В 1985г. Виктор Григорьевич написал книгу «Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния», (Москва, «Наука»). В 1986г. защитил докторскую диссертацию (ИФП СО РАН), в которой были изложены представления о процессах на поверхности кремния. Защита докторской диссертации оказалась чрезвычайно полезной для дальнейшего развития отдела. Во-первых, ректором Дальневосточного государственного университета было предложено организовать кафедру в классическом университете, которую и возглавил Виктор Григорьевич, а во-вторых, в ИАПУ ДВО РАН стало возможным преобразовать лабораторию в отдел из 6 лабораторий, которые, фактически, уже были сформированы и работали по следующим направлениям: поверхностные фазы на кремнии и их роль в поверхностных процессах, физические основы формирования силицидных пленок, диэлектрических пленок, эпитаксия кремния, оптические и электронные свойства поверхности кремния. Организовалась небольшая теоретическая лаборатория, в которой были начаты работы по кластерному моделированию. В конце 80-х годов отдел вышел на уровень 20-30 публикаций в год в цитируемых журналах.

  На начало 90-х годов пришлось начало активного взаимодействия отдела, возглавляемого Лифшицем В.Г., с учеными разных стран (Германии, США, Японии, Франции, Индии и др.). В 1993г. во Владивостоке состоялся первый Российско-Японский семинар по физике поверхности полупроводников (сопредседатели Оргкомитета - Лифшиц В.Г. и Оура К.). Этот семинар проводится каждые два года по очереди в России и Японии. Виктор Григорьевич известен в ведущих научных центрах и в нашей стране, и за рубежом. Сегодня успешно работает совместная лаборатория с корейской фирмой Samsung. Установлены тесные связи с университетами Японии.

  Результатом многолетних исследований Лифшица В.Г. и его учеников стало изданий ряда монографий:

• Lifshits V.G., , Saranin A.A., Zotov A.V. “Surface phases on Silicon” , Wiley, 1994, p.460;

• Lifshits V.G., Oura K., Saranin A.A., Zotov A.V. “Metallic Adsorbates on Semiconductor Surfaces”, In: Physics of Covered Solid Surface. Ed. by H.P.Bonzel, Springer-Verlag, Landolt-Boernstain series, 2001, v.III/42, p.259-419, заказанная к 40-летнему юбилею науки о поверхности издательством Springer

• Oura K., Lifshits V.G., , Saranin A.A., Zotov A.V. Katayama M. “Surface Science – An Introduction», Springer-Verlag, 2003,р.460 (учебник для университетов, также заказанный издательством Springer)

• Лифшиц В.Г., Репинский С.М. «Процессы на поверхности твердых тел», 2003, Дальнаука, 700 стр.

  Общее число сотрудников, аспирантов и студентов, занимающихся научной работой в отделе физики поверхности, под руководством Лифшица В.Г. более 80 человек. Член-корр. Лифшиц В.Г. возглавлял работу центра полупроводниковой микроэлектроники (на правах отдела в ИАПУ ДВО РАН, состоящего из 5 лабораторий), физико-технического факультета (декан) и кафедры ФТМПМ (физики и технологии материалов полупроводниковой микроэлектроники) на этом факультете. Всего на основные работы В.Г.Лифшица по физике поверхности полупроводников насчитывается более 1000 ссылок.

  Виктор Григорьевич оставил после себя научную школу с традициями в пополнении научного коллектива, воспитании и подборе кадров. Принципы, которые проводил в жизнь Виктор Григорьевич - это принципы преданности науке, высокой исполнительской дисциплины, коллективизма, понимания необходимости постоянной работы с молодежью, бережного отношения к собственности отдела, заряженности на научный результат мирового уровня, понимание того, что первичным должен быть результат. Подбор молодых членов коллектива начинается со школы. Лучшие учителя физики Дальнего Востока (Приморского, Хабаровского краев, Биробиджана, Благовещенска и др.), с которыми Виктор Григорьевич находился в постоянном контакте, присылают своих выпускников для поступления на наш факультет. Постоянно работает институт кураторов студентов по успеваемости и по быту. Виктор Григорьевич Лифшиц сам регулярно проверял состояние дел в общежитии, проводил экскурсии школьников по отделу. Студенты, начиная с второго-третьего курса, закрепляются за научными руководителями и начинают работать в лабораториях.

  Коллектив, который возглавлял Лифшиц В.Г., постоянно растет, за счет пополнения нашими выпускниками, молодыми кандидатами, не только отдела и факультета, но и других коллективов Дальневосточных университетов.

  Виктор Григорьевич был человеком с активной жизненной позицией, обладал неиссякаемым энтузиазмом и энергией, очень быстро впитывал новые идеи и успешно их развивал. Обладал множеством талантов, замечательно пел, сочинял стихи, свободно говорил на украинском и японском языках, увлекался рыбной ловлей и очень любил играть в теннис…