Технология формирования тонкой пленки Ca3Si4 на подложке Si(111)
Название разработки
Технология формирования тонкой пленки Ca3Si4 на подложке Si(111).
Новизна
Впервые получены тонкие пленки Ca3Si4 и изучены их оптические и электрические свойства.
Назначение
Создание наноматериалов.
Описание, характеристики
Установлено, что при осаждении Ca на нагретую до 500 oС подложку формируется силицид кальция, обогащённый кремнием, с составом Ca3Si4 по данным микродифракции электронов.
Показано, что пленка Са3Si4 демонстрирует высокую температурную стабильность – вплоть до 500 °C, фононная структура пленок Ca3Si4 характеризуется пиками 346, 389 и 419 см-1 на спектрах КРС, а на спектрах пропускания наблюдается резкое увеличение поглощения с одновременным увеличением отражения в области малых энергий фотонов (0,05-0,25 эВ), что свидетельствует о высокой концентрации носителей в сплошной пленке Ca3Si4.
Научная и практическая значимость
Пленки Ca3Si4 перспективны для создания термоэлектрических пленочных преобразователей с высокой эффективностью.
Преимущества перед известными аналогами
Прямых аналогов нет.
Область(и) применения
Наноматериалы и наноэлектроника.
Правовая защита
Н.Г. Галкин, Д.А. Безбабный, К.Н. Галкин, И.М. Чернев, А.В. Вахрушев "Формирование, оптические и электрические свойства пленок Ca3Si4 и двойных гетероструктур Si/Ca3Si4/Si(111)" // Химическая физика и мезоскопия, 2013. – том. 15, № 3. C. 385 - 392.
Стадия готовности к практическому использованию
НИОКР
Авторы
Кафедра Физики низкоразмерных структур
Н.Г. Галкин, Д.А.Безбабный, К.Н. Галкин, И.М.Чернев, А.В. Вахрушев