В.Е. Драч

Метод накачки заряда для исследованиянаноразмерного оксида полевого транзистора: физическая база и оборудование (обзор)

Приводится обзор метода зарядовой накачки, применяемого для исследования электрофизических характеристик подзатворного диэлектрика полевого транзистора со структурой МДП. Широкая распространенность метода обусловливается улучшенной в последнее время интерпретацией полученных результатов. Обсуждается аппаратная реализация метода зарядовой накачки, которая позволяет внедрить его в цикл измерений подзатворного диэлектрика полевого транзистора со структурой МДП. Показано, что в настоящее время этот метод обладает достаточной точностью для оценки зарядовых состояний подзатворного диэлектрика наноразмерной толщины.

Ключевые слова: зарядовая накачка, зарядовое состояние, приграничные ловушки, подзатворный диэлектрик, полевой транзистор.

Drach V.

VLADIMIR E. DRACH, Assistant Professor, EIU1-KF Department, Bauman Moscow State Technical University (Kaluga Branch). Bazhenov, 2, Kaluga, Russia, 248000, e-mail: drach@kaluga.org

Charge pumping technique for MOSFET nanoscale oxide characterisation: physical background and equipment (overview)

The article presents an overview of the charge pumping technique used to examine electrophysical characteristics of the MOSFET gate oxide. The required laboratory equipment and the hardware implementation of the charge pumping technique are discussed in the article. It has been demonstrated that, nowadays, the charge pumping technique has a sufficient accuracy to estimate the charge state of the gate oxide having a nanoscale thickness.

Key words: charge pumping, charge state, border traps, gate oxide, MOSFET.